IGBT 技术研发与产业化创新团队
为突破 IGBT 关键技术、结束 IGBT 产品长期依赖进口的局面，该团队负责人刘国友2010 年受命成立功率半导体海外研发中心，组建一支专门从事IGBT基础核心前沿技术研发的团队，成员包含设计、工艺和应用工程师等研发人员，专业领域覆盖材料、微电子、半导体物理等学科，目前已形成 100人以上、高端人才汇聚的研发团队。在院士领衔、团队负责人带领下，本团队研发的 IGBT 领域新产品、新工艺，特别是新一代高功率密度 IGBT 芯片与模块关键技术，已达到国际先进水平，产品与国际同类产品相当。十二五期间 ，团队承担国家 02 专项、“863”计划、国家发改委专项等 10 余项国家级项目，先后完成轨道交通用 3300VIGBT 芯片及模块、3300V-6500V 高功率密度 IGBT 芯片及模块的研究开发，达到国际先进水平并实现批量应用。团队核心成员在 IGBT 技术领域申报专利 50 余项，在国内外核心期刊和国际会议发表论文 30 余篇，获得省部级及以上科技进步奖 7 项，形成一整套具有自主知识产权的 IGBT 芯片及其模块“设计—工艺—应用”产业化技术，彻底打破国外的技术封锁与产品垄断。通过集成创新，本团队支撑建成国内领先、国际一流的 8 英寸 IGBT 芯片线及其自动化的模块封装线。该团队研究技术成果达到国际先进水平并实现批量应用，迫使国外产品多次大幅降价，彻底摆脱轨道交通、智能电网等战略性新兴产业对国外核心器件的依赖，确保国家安全与国民经济健康发展。
该团队2015年入选国家创新人才推进计划重点领域创新团队。
|
|
京公网安备 11040102700028号
